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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI5513DC-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.1A，2.1A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 3.1A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET