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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI3475DV-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：950mA（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.61 歐姆 @ 900mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：500pF @ 50V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP