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NSB8JT-E3@45
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:NSB8JT-E3/45

制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division

描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

系列:-

二極管類型:標(biāo)準

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V

電流 - 平均整流 (Io):8A

不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf):1.1V @ 8A

速度:標(biāo)準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)

反向恢復(fù)時間 (trr):-

不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V

不同 Vr、F 時的電容:55pF @ 4V,1MHz

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB

工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C


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