- 產品型號：TPCF8101(TE85L,F,M
- 制 造 商：東芝半導體（Toshiba）
- 出廠封裝：VS-8
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
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東芝半導體公司完整型號：TPCF8101(TE85L,F,M
制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
系列：-
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Ta）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）
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