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TK30E06N1,S1X
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東芝半導體公司完整型號:TK30E06N1,S1X

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):43A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):15 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1050pF @ 30V

功率 - 最大值:53W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220-3


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