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東芝半導體公司完整型號：GT50J121(Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50A

Current - Collector Pulsed (Icm)：100A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.45V @ 15V，50A

功率 - 最大值：240W

Switching Energy：1.3mJ （開）, 1.34mJ （關）

輸入類型：標準

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關）值：90ns/300ns

Test Condition：300V， 50A， 13 歐姆， 15V

反向恢復時間 (trr)：-

封裝/外殼：TO-3PL

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-3P（LH）