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TI德州儀器公司完整型號：CSD23201W10

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 500mA，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：325pF @ 6V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA，DSBGA

供應(yīng)商器件封裝：4-DSBGA（1x1）