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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STGWT40H65DFB

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：160A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2V @ 15V，40A

功率 - 最大值：283W

Switching Energy：498μJ （開）， 363μJ （關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：210nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：40ns/142ns

Test Condition：400V, 40A, 5 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：62ns

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P