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STE110NS20FD
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STE110NS20FD

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

系列:MESH OVERLAY?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):110A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):24 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):504nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7900pF @ 25V

功率 - 最大值:500W

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:ISOTOP

供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP


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