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STD6NM60N-1
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ST意法半導體公司完整型號:STD6NM60N-1

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK

系列:MDmesh II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):4.6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):920 毫歐 @ 2.3A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):420pF @ 50V

功率 - 最大值:45W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應商器件封裝:I-Pak


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