日本极品少妇粉嫩小穴-日本经典黄色福利片-日本精良 久久久久-日本精品免费-日本精品人妻少妇人人搞人人爽-日本精品人妻无码八区九区

H7N1002LSTL-E >>> 瑞薩芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供瑞薩公司H7N1002LSTL-E報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購H7N1002LSTL-E？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

Renesas瑞薩完整型號: H7N1002LSTL-E

制造廠家名稱: Renesas Electronics America

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V LDPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，4.5V 驅動

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 75A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 10 毫歐 @ 37.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 155nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 9700pF @ 10V

功率 - 最大值: 100W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *