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APT65GP60B2G
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Microsemi美高森美完整型號:APT65GP60B2G

制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group

描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX

系列:POWER MOS 7

IGBT 類型:PT

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A

Current - Collector Pulsed (Icm):250A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A

功率 - 最大值:833W

Switching Energy:605μJ (開), 896μJ (關)

輸入類型:標準

Gate Charge:210nC

25°C 時 Td(開/關)值:30ns/91ns

Test Condition:400V, 65A, 5 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr):-

封裝/外殼:TO-247-3 變式

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:*


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