日本极品少妇粉嫩小穴-日本经典黄色福利片-日本精良 久久久久-日本精品免费-日本精品人妻少妇人人搞人人爽-日本精品人妻无码八区九区

IPP023NE7N3 G >>> 英飛凌芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司IPP023NE7N3 G報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購IPP023NE7N3 G？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Infineon英飛凌公司完整型號：IPP023NE7N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO220

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：75V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 273μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14400pF @ 37.5V

功率 - 最大值：300W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3