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IPD50R1K4CE
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Infineon英飛凌公司完整型號:IPD50R1K4CE

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

系列:CoolMOS CE

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):500V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3.1A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 900mA, 13V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 70μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):178pF @ 100V

功率 - 最大值:25W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應商器件封裝:PG-TO-252


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