- 產品型號：IPB65R600C6
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：PG-TO263
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB65R600C6
制造廠家名稱：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
系列：CoolMOS?
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7.3A（Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 2.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 100V
功率 - 最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263
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