日本极品少妇粉嫩小穴-日本经典黄色福利片-日本精良 久久久久-日本精品免费-日本精品人妻少妇人人搞人人爽-日本精品人妻无码八区九区

IPB021N06N3 G >>> 英飛凌芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供英飛凌公司IPB021N06N3 G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購IPB021N06N3 G？不再猶豫，找我們沒錯(cuò)！對有長期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPB021N06N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 30V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2