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BSP295E6327T
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSP295E6327T

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

系列:SIPMOS

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.8A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):368pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA

供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4


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